| Параметр | МП16А | МП16Б | МП16ЯI | МП16ЯII | |
|---|---|---|---|---|---|
Импульсный ток коллектора транзистора | IC-i | <300 мА | |||
Напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при разомкнутой цепи базы и заданном токе эмиттера | UCEO | <15 В | |||
Постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора | PC | <200 мВт | <200 мВт | <150 мВт | <150 мВт |
Cтатический коэффициент передачи тока биполярного транзистора | hFE | 30 ~ 50 | 45 ~ 100 | 20 ~ 70 | 10 ~ 70 |
Collector reverse current. Current through the collector junction at a given reverse collector-base voltage and emitter open | ICB-R | 25 мкА | |||
Предельная частота коэффициента передачи тока биполярного транзистора | fh21 | 1 МГц | 2 МГц | 1 МГц | 1 МГц |
Температура корпуса | tC | -60 ~ 70 | |||
Структура биполярного транзистора | Структура | PNP | |||
Импульсное напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при разомкнутой цепи базы | UCEO-i | (не задано) | (не задано) | <30 В | <30 В |