ТМ10А

ТМ10, ТМ10А, ТМ10Б, ТМ10В, ТМ10Ж

На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.

Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.

Описание

Параметры

ПараметрТМ10АТМ10БТМ10ВТМ10Ж
Постоянный ток коллектора транзистора
IC
<10 мА
Напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при разомкнутой цепи базы и заданном токе эмиттера
UCEO
<20 В<30 В<30 В<20 В
Постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора
PC
<150 мВт
Cтатический коэффициент передачи тока биполярного транзистора
hFE
40 ~ 12010 ~ 3220 ~ 6080
Collector reverse current. Current through the collector junction at a given reverse collector-base voltage and emitter open
ICB-R
5 мкА
Обратный ток коллектор-эмиттер при заданном сопротивлении в цепи база-эмиттер и заданном обратном напряжении коллектор-эмиттер
ICE-rR
50 мкА
Предельная частота коэффициента передачи тока биполярного транзистора
fh21
30 МГц
Температура корпуса
tC
-60 ~ 120