На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | ТМ4А | ТМ4Б | ТМ4В | ТМ4Г | ТМ4Д | ТМ4Е | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
Постоянный ток коллектора транзистора | IC | <40 мА | |||||
Импульсный ток коллектора транзистора | IC-i | <100 мА | |||||
Напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при разомкнутой цепи базы и заданном токе эмиттера | UCEO | <15 В | |||||
Постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора | PC | <75 мВт | |||||
Cтатический коэффициент передачи тока биполярного транзистора | hFE | 20 ~ 75 | 50 ~ 120 | 90 ~ 200 | 20 ~ 75 | 50 ~ 120 | 90 ~ 200 |
Collector reverse current. Current through the collector junction at a given reverse collector-base voltage and emitter open | ICB-R | 6 мкА | |||||
Обратный ток коллектор-эмиттер при заданном сопротивлении в цепи база-эмиттер и заданном обратном напряжении коллектор-эмиттер | ICE-rR | 30 мкА | |||||
Температура корпуса | tC | -60 ~ 70 | |||||
Структура биполярного транзистора | Структура | PNP | |||||