На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | М2А | М2Б | М2В | М2Г | М2Д | |
|---|---|---|---|---|---|---|
Постоянный ток коллектора транзистора | IC | <50 мА | ||||
Импульсный ток коллектора транзистора | IC-i | <100 мА | ||||
Напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при разомкнутой цепи базы и заданном токе эмиттера | UCEO | <15 В | <15 В | <10 В | <10 В | <10 В |
Постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора | PC | <75 мВт | ||||
Cтатический коэффициент передачи тока биполярного транзистора | hFE | 20 ~ 60 | 50 ~ 150 | 30 ~ 90 | 70 ~ 210 | 80 ~ 250 |
Collector reverse current. Current through the collector junction at a given reverse collector-base voltage and emitter open | ICB-R | 20 мкА | 20 мкА | 15 мкА | 15 мкА | 15 мкА |
Обратный ток коллектор-эмиттер при заданном сопротивлении в цепи база-эмиттер и заданном обратном напряжении коллектор-эмиттер | ICE-rR | 20 мкА | ||||
Предельная частота коэффициента передачи тока биполярного транзистора | fh21 | 3 МГц | 3 МГц | 9 МГц | 9 МГц | 15 МГц |
Температура корпуса | tC | -60 ~ 70 | ||||
Структура биполярного транзистора | Структура | PNP | ||||