Доход от майнинга

ГД508А

ГД508, ГД508А, ГД508Б

На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.

Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.

Описание

Параметры

ПараметрГД508АГД508Б
Прямое напряжение
UF
<700 мВпри If = 10 мА<650 мВпри If = 10 мА
Обратное напряжение
UR
<8 В
Прямой ток
IF
<10 мА
Прямой импульсный ток
IF-i
<30 мА
Обратный ток
IR
<60 мкА<100 мкА
Обратное импульсное напряжение
UR-i
<10 В
Емкость диода
CD
0.75 пФпри U = 0.5 В
Время восстановления
tREC
<20 нспри Iп/Uо = 10/5 мА/В
Величина электрического заряда, необходимого для переключения диода
QRR
при Iп/Uо = 10/5 мА/В