Доход от майнинга

2П926Б

2П926, 2П926А, 2П926Б, 2П926В

На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.

Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.

Описание

Параметры

Параметр2П926А2П926Б2П926В
Коэффициент шума
NF
Мощность
P
<50 Вт
Крутизна характеристики полевого транзистора
S1-S2/I
>2000при Iс = 4 А
Ток утечки затвора при объединенных стоке и истоке
IG
Постоянное напряжение между затвором и стоком
UGD
<475 В<420 В<320 В
Постоянное напряжение между затвором и истоком
UGS
<25 В<20 В<20 В
Постоянное напряжение между стоком и истоком
UDSS
<450 В<400 В<300 В
Постоянный ток стока
IDSS
<16 А<16 А<8 А
Технология изготовления полевого транзистора
Технология
JFET
Тип канала полевого транзистора
Канал
N-ch
Сопротивление канала в открытом состоянии
RDS-ON
<100 мОм<100 мОм(не задано)
Импульсный ток стока
IDSS-I
<30 А<30 А(не задано)