На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
Параметр | 2П922А | 2П922Б | 2П922В | 2П922А-1 | 2П922Б-1 | 2П922В-1 | 2П922Г-1 | |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|
Коэффициент шума | NF | |||||||
Мощность | P | <60 Вт | ||||||
Крутизна характеристики полевого транзистора | S1-S2/I | 1000 ~ 2100при Iс = 1 А | ||||||
Ток утечки затвора при объединенных стоке и истоке | IG | 5 нА | 5 нА | 1 нАпри Uсз = 30В | 5 нА | 5 нАпри Uсз = 30В | ||
Входная емкость полевого транзистора | C11 | 2 нФ | ||||||
Проходная емкость | C12 | 1.2 нФ | 1.2 нФ | (не задано) | (не задано) | (не задано) | (не задано) | (не задано) |
Постоянное напряжение между затвором и стоком | UGD | <100 В | ||||||
Постоянное напряжение между затвором и истоком | UGS | <30 В | ||||||
Постоянное напряжение между стоком и истоком | UDSS | <100 В | ||||||
Постоянный ток стока | IDSS | <10 А | <10 А | <5 А | <10 А | <10 А | <5 А | <10 А |
Технология изготовления полевого транзистора | Технология | MOSFET | ||||||
Тип канала полевого транзистора | Канал | N-ch | ||||||
Сопротивление канала в открытом состоянии | RDS-ON | <200 мОм | <400 мОм | <1 Ом | <200 мОм | <400 мОм | <1 Ом | <120 мОм |
Импульсный ток стока | IDSS-I | <20 А |