Доход от майнинга

КП814Б

КП814, КП814А, КП814Б, КП814В, КП814Г, КП814Д, КП814Е, КП814Ж, КП814И, КП814К, КП814Л, КП814М, КП814Н, КП814П, КП814Р, КП814С, КП814Т, КП814У, КП814Ф

На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.

Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.

Описание

Параметры

ПараметрКП814АКП814БКП814ВКП814ГКП814ДКП814ЕКП814ЖКП814ИКП814ККП814ЛКП814МКП814НКП814ПКП814РКП814СКП814ТКП814УКП814Ф
Коэффициент шума
NF
Крутизна характеристики полевого транзистора
S1-S2/I
1300 ~ 3000при Iс = 2.5 А
Ток утечки затвора при объединенных стоке и истоке
IG
Постоянное напряжение между затвором и истоком
UGS
<25 В
Постоянное напряжение между стоком и истоком
UDSS
<300 В<300 В<400 В<400 В<500 В<500 В<600 В<600 В<700 В<700 В<800 В<800 В<900 В<900 В<950 В<950 В<1 кВ<1 кВ
Постоянный ток стока
IDSS
<10 А<12 А<8 А<10 А<7 А<10 А<6 А<8 А<5 А<6 А<3 А<4 А<3 А<3.8 А<3 А<3.6 А<3 А<3.6 А
Технология изготовления полевого транзистора
Технология
MOSFET
Тип канала полевого транзистора
Канал
N-ch
Сопротивление канала в открытом состоянии
RDS-ON
<1 Ом<800 мОм<1.5 Ом<1.2 Ом<2 Ом<1.3 Ом<2.3 Ом<1.8 Ом<3 Ом<2.5 Ом<4.2 Ом<3 Ом<4.5 Ом<4 Ом<4.5 Ом<4 Ом<4.7 Ом<4 Ом