Доход от майнинга

КП813А1

КП813, КП813А, КП813Б, КП813А1, КП813Б1

На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.

Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.

Описание

Параметры

ПараметрКП813АКП813БКП813А1КП813Б1
Коэффициент шума
NF
Мощность
P
<125 Вт
Крутизна характеристики полевого транзистора
S1-S2/I
>5500при Iс = 10 А
Ток утечки затвора при объединенных стоке и истоке
IG
100 нАпри Uсз = 20В
Входная емкость полевого транзистора
C11
2.7 нФ
Проходная емкость
C12
240 пФ
Постоянное напряжение между затвором и истоком
UGS
<20 В
Постоянное напряжение между стоком и истоком
UDSS
<200 В
Постоянный ток стока
IDSS
<22 А
Технология изготовления полевого транзистора
Технология
MOSFET
Тип канала полевого транзистора
Канал
N-ch
Сопротивление канала в открытом состоянии
RDS-ON
<120 мОм<180 мОм<120 мОм<180 мОм
Импульсный ток стока
IDSS-I
<88 А