КП812Б1
КП812, КП812А1, КП812Б1, КП812В1
На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
Описание
Параметры
| Параметр | КП812А1 | КП812Б1 | КП812В1 | |
|---|---|---|---|---|
Коэффициент шума | NF | |||
Мощность | P | <100 Вт | ||
Крутизна характеристики полевого транзистора | S1-S2/I | >1500при Iс = 31 А | >1200при Iс = 24 А | >1200при Iс = 18 А |
Ток утечки затвора при объединенных стоке и истоке | IG | 100 нАпри Uсз = 20В | ||
Входная емкость полевого транзистора | C11 | 1.9 нФ | ||
Проходная емкость | C12 | 170 пФ | ||
Постоянное напряжение между затвором и истоком | UGS | <20 В | ||
Постоянное напряжение между стоком и истоком | UDSS | <60 В | ||
Постоянный ток стока | IDSS | <50 А | <35 А | <35 А |
Технология изготовления полевого транзистора | Технология | MOSFET | ||
Тип канала полевого транзистора | Канал | N-ch | ||
Сопротивление канала в открытом состоянии | RDS-ON | <28 мОм | <35 мОм | <50 мОм |
Импульсный ток стока | IDSS-I | <200 А | <190 А | <190 А |