На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
Параметр | КП809А | КП809Б | КП809В | КП809Г | КП809Д | КП809Е | КП809А1 | КП809Б1 | КП809В1 | КП809Г1 | КП809Д1 | КП809Е1 | |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
Коэффициент шума | NF | ||||||||||||
Мощность | P | <100 Вт | <100 Вт | <100 Вт | <100 Вт | <100 Вт | <100 Вт | <50 Вт | <50 Вт | <50 Вт | <50 Вт | <50 Вт | <50 Вт |
Крутизна характеристики полевого транзистора | S1-S2/I | >1500при Iс = 3 А | |||||||||||
Ток утечки затвора при объединенных стоке и истоке | IG | 100 мкА | |||||||||||
Входная емкость полевого транзистора | C11 | 3 нФ | |||||||||||
Проходная емкость | C12 | 220 пФ | |||||||||||
Постоянное напряжение между затвором и истоком | UGS | <20 В | |||||||||||
Постоянное напряжение между стоком и истоком | UDSS | <400 В | <500 В | <600 В | <700 В | <800 В | <750 В | <400 В | <500 В | <600 В | <700 В | <800 В | <750 В |
Постоянный ток стока | IDSS | <25 А | <20 А | <15 А | <15 А | <10 А | <8 А | <25 А | <20 А | <15 А | <15 А | <10 А | <8 А |
Технология изготовления полевого транзистора | Технология | MOSFET | |||||||||||
Тип канала полевого транзистора | Канал | N-ch | |||||||||||
Сопротивление канала в открытом состоянии | RDS-ON | <300 мОм | <600 мОм | <1.2 Ом | <1.5 Ом | <1.8 Ом | <2.5 Ом | <300 мОм | <600 мОм | <1.2 Ом | <1.5 Ом | <1.8 Ом | <2.5 Ом |