Доход от майнинга

КП809

КП809, КП809А, КП809Б, КП809В, КП809Г, КП809Д, КП809Е, КП809А1, КП809Б1, КП809В1, КП809Г1, КП809Д1, КП809Е1

На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.

Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.

Описание

Параметры

ПараметрКП809АКП809БКП809ВКП809ГКП809ДКП809ЕКП809А1КП809Б1КП809В1КП809Г1КП809Д1КП809Е1
Коэффициент шума
NF
Мощность
P
<100 Вт<100 Вт<100 Вт<100 Вт<100 Вт<100 Вт<50 Вт<50 Вт<50 Вт<50 Вт<50 Вт<50 Вт
Крутизна характеристики полевого транзистора
S1-S2/I
>1500при Iс = 3 А
Ток утечки затвора при объединенных стоке и истоке
IG
100 мкА
Входная емкость полевого транзистора
C11
3 нФ
Проходная емкость
C12
220 пФ
Постоянное напряжение между затвором и истоком
UGS
<20 В
Постоянное напряжение между стоком и истоком
UDSS
<400 В<500 В<600 В<700 В<800 В<750 В<400 В<500 В<600 В<700 В<800 В<750 В
Постоянный ток стока
IDSS
<25 А<20 А<15 А<15 А<10 А<8 А<25 А<20 А<15 А<15 А<10 А<8 А
Технология изготовления полевого транзистора
Технология
MOSFET
Тип канала полевого транзистора
Канал
N-ch
Сопротивление канала в открытом состоянии
RDS-ON
<300 мОм<600 мОм<1.2 Ом<1.5 Ом<1.8 Ом<2.5 Ом<300 мОм<600 мОм<1.2 Ом<1.5 Ом<1.8 Ом<2.5 Ом