Доход от майнинга

КП803Б

КП803, КП803А, КП803Б

На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.

Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.

Описание

Параметры

ПараметрКП803АКП803Б
Коэффициент шума
NF
Мощность
P
<60 Вт
Крутизна характеристики полевого транзистора
S1-S2/I
750 ~ 1200при Uси = 30 В
Ток утечки затвора при объединенных стоке и истоке
IG
Входная емкость полевого транзистора
C11
20 пФ
Проходная емкость
C12
20 пФ(не задано)
Постоянное напряжение между затвором и стоком
UGD
<1.01 кВ<810 В
Постоянное напряжение между затвором и истоком
UGS
<30 В
Постоянное напряжение между стоком и истоком
UDSS
<1 кВ<800 В
Технология изготовления полевого транзистора
Технология
MOSFET
Тип канала полевого транзистора
Канал
N-ch
Сопротивление канала в открытом состоянии
RDS-ON
<4.5 Ом