Доход от майнинга

КП801Б

КП801, КП801А, КП801Б, КП801В, КП801Г

На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.

Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.

Описание

Параметры

ПараметрКП801АКП801БКП801ВКП801Г
Коэффициент шума
NF
Мощность
P
<60 Вт<30 Вт<100 Вт<100 Вт
Крутизна характеристики полевого транзистора
S1-S2/I
>750при Iс = 4 А >300при Iс = 1.5 А 750 ~ 1700при Iс = 4 А 600 ~ 1300
Ток утечки затвора при объединенных стоке и истоке
IG
300 мкА
Постоянное напряжение между затвором и стоком
UGD
<100 В<130 В<100 В(не задано)
Постоянное напряжение между затвором и истоком
UGS
<35 В<35 В<35 В<40 В
Постоянное напряжение между стоком и истоком
UDSS
<65 В<95 В(не задано)<140 В
Постоянный ток стока
IDSS
<5 А<2.5 А<8 А<8 А
Технология изготовления полевого транзистора
Технология
JFET
Тип канала полевого транзистора
Канал
N-ch
Сопротивление канала в открытом состоянии
RDS-ON
<2.2 Ом<4.4 Ом(не задано)(не задано)