2П712Б
2П712, 2П712А, 2П712Б, 2П712В
На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
Описание
Параметры
| Параметр | 2П712А | 2П712Б | 2П712В | |
|---|---|---|---|---|
Коэффициент шума | NF | |||
Мощность | P | <50 Вт | ||
Крутизна характеристики полевого транзистора | S1-S2/I | >2000при Iс = 2 А | >2000при Iс = 2 А | >1800при Iс = 2 А |
Ток утечки затвора при объединенных стоке и истоке | IG | |||
Входная емкость полевого транзистора | C11 | 1.8 нФ | ||
Постоянное напряжение между затвором и стоком | UGD | <80 В | <100 В | <100 В |
Постоянное напряжение между затвором и истоком | UGS | <20 В | ||
Постоянное напряжение между стоком и истоком | UDSS | <80 В | <100 В | <100 В |
Постоянный ток стока | IDSS | <10 А | ||
Технология изготовления полевого транзистора | Технология | MOSFET | ||
Тип канала полевого транзистора | Канал | P-ch | ||
Сопротивление канала в открытом состоянии | RDS-ON | <250 мОм | <300 мОм | <400 мОм |
Импульсный ток стока | IDSS-I | <30 А | ||