Доход от майнинга

КП709Б

КП709, КП709А, КП709Б

На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.

Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.

Описание

Параметры

ПараметрКП709АКП709Б
Коэффициент шума
NF
Мощность
P
<75 Вт
Крутизна характеристики полевого транзистора
S1-S2/I
>2000при Iс = 2 А
Ток утечки затвора при объединенных стоке и истоке
IG
1 мкА
Входная емкость полевого транзистора
C11
650 пФ
Проходная емкость
C12
70 пФ
Постоянное напряжение между затвором и истоком
UGS
<20 В
Постоянное напряжение между стоком и истоком
UDSS
<600 В
Постоянный ток стока
IDSS
<4 А
Технология изготовления полевого транзистора
Технология
MOSFET
Тип канала полевого транзистора
Канал
N-ch
Сопротивление канала в открытом состоянии
RDS-ON
<2 Ом<2.5 Ом