Доход от майнинга

КП707А

КП707, КП707А, КП707Б, КП707В, КП707Г, КП707Д, КП707Е, КП707А1, КП707Б1, КП707В1, КП707Г1, КП707Д1, КП707Е1, 2П707В2

Документы

Описание

Кремниевые эпитаксиально-планарные полевые транзисторы с изолированным затвором. Выполнены в металлокерамическом корпусе. Предназначены для работы в источниках вторичного электропитания и других узлах и блоках аппаратуры специального назначения.

Расположение выводов

Вывод 1: затвор
Вывод 2: сток
Вывод 3: исток

Масса не более 7,5 г.

Содержание драгоценных металлов

Золото: 53,6108 мг
Серебро: 79,115 мг

Параметры

ПараметрКП707АКП707БКП707ВКП707ГКП707ДКП707ЕКП707А1КП707Б1КП707В1КП707Г1КП707Д1КП707Е12П707В2
Мощность
P
<100 Вт<100 Вт<100 Вт<100 Вт<100 Вт<100 Вт<50 Вт<50 Вт<50 Вт<50 Вт<50 Вт<50 Вт(не задано)
Крутизна характеристики полевого транзистора
S1-S2/I
>1500при Iс = 3 А
Ток утечки затвора при объединенных стоке и истоке
IG
100 мкА
Входная емкость полевого транзистора
C11
1.2 нФ
Проходная емкость
C12
80 пФ
Постоянное напряжение между затвором и истоком
UGS
<20 В
Постоянное напряжение между стоком и истоком
UDSS
<400 В<600 В(не задано)<700 В<500 В<750 В<400 В<600 В<800 В<700 В<500 В<750 В(не задано)
Постоянный ток стока
IDSS
<15 А<10 А<7 А<8 А<12 А<8 А<15 А<10 А<7 А<8 А<12 А<8 А(не задано)
Технология изготовления полевого транзистора
Технология
MOSFET
Тип канала полевого транзистора
Канал
N-ch
Сопротивление канала в открытом состоянии
RDS-ON
<1 Ом<2 Ом<4 Ом<2.5 Ом<1.5 Ом<5 Ом<1 Ом<2 Ом<4 Ом<2.5 Ом<1.5 Ом<5 Ом(не задано)