2П706Б
2П706, 2П706А, 2П706Б, 2П706В
На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
Описание
Параметры
| Параметр | 2П706А | 2П706Б | 2П706В | |
|---|---|---|---|---|
Коэффициент шума | NF | |||
Мощность | P | <100 Вт | ||
Крутизна характеристики полевого транзистора | S1-S2/I | >1500при Iс = 2 А | ||
Ток утечки затвора при объединенных стоке и истоке | IG | |||
Постоянное напряжение между затвором и стоком | UGD | <510 В | <410 В | <410 В |
Постоянное напряжение между затвором и истоком | UGS | <30 В | ||
Постоянное напряжение между стоком и истоком | UDSS | <500 В | <400 В | <400 В |
Технология изготовления полевого транзистора | Технология | MOSFET | ||
Тип канала полевого транзистора | Канал | N-ch | ||
Сопротивление канала в открытом состоянии | RDS-ON | <800 мОм | <500 мОм | <650 мОм |