Доход от майнинга

КП704Б

КП704, КП704А, КП704Б

На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.

Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.

Описание

Параметры

ПараметрКП704АКП704Б
Коэффициент шума
NF
Мощность
P
<75 Вт
Крутизна характеристики полевого транзистора
S1-S2/I
1000 ~ 2500при Iс = 1 А
Ток утечки затвора при объединенных стоке и истоке
IG
1 мкА
Входная емкость полевого транзистора
C11
1.35 нФ
Проходная емкость
C12
100 пФ
Постоянное напряжение между затвором и стоком
UGD
<200 В
Постоянное напряжение между затвором и истоком
UGS
<20 В
Постоянное напряжение между стоком и истоком
UDSS
<200 В
Постоянный ток стока
IDSS
<10 А
Технология изготовления полевого транзистора
Технология
MOSFET
Тип канала полевого транзистора
Канал
N-ch
Сопротивление канала в открытом состоянии
RDS-ON
<350 мОм<500 мОм
Импульсный ток стока
IDSS-I
<30 А