На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
Параметр | КП704А | КП704Б | |
---|---|---|---|
Коэффициент шума | NF | ||
Мощность | P | <75 Вт | |
Крутизна характеристики полевого транзистора | S1-S2/I | 1000 ~ 2500при Iс = 1 А | |
Ток утечки затвора при объединенных стоке и истоке | IG | 1 мкА | |
Входная емкость полевого транзистора | C11 | 1.35 нФ | |
Проходная емкость | C12 | 100 пФ | |
Постоянное напряжение между затвором и стоком | UGD | <200 В | |
Постоянное напряжение между затвором и истоком | UGS | <20 В | |
Постоянное напряжение между стоком и истоком | UDSS | <200 В | |
Постоянный ток стока | IDSS | <10 А | |
Технология изготовления полевого транзистора | Технология | MOSFET | |
Тип канала полевого транзистора | Канал | N-ch | |
Сопротивление канала в открытом состоянии | RDS-ON | <350 мОм | <500 мОм |
Импульсный ток стока | IDSS-I | <30 А |