Доход от майнинга

КП703Б

КП703, КП703А, КП703Б

На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.

Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.

Описание

Параметры

ПараметрКП703АКП703Б
Коэффициент шума
NF
Мощность
P
<60 Вт
Крутизна характеристики полевого транзистора
S1-S2/I
800 ~ 1200при Iс = 1 А >800при Iс = 1 А
Ток утечки затвора при объединенных стоке и истоке
IG
Входная емкость полевого транзистора
C11
1.5 нФ
Проходная емкость
C12
30 пФ
Постоянное напряжение между затвором и стоком
UGD
<160 В<110 В
Постоянное напряжение между затвором и истоком
UGS
<30 В
Постоянное напряжение между стоком и истоком
UDSS
<150 В<100 В
Постоянный ток стока
IDSS
<12 А
Технология изготовления полевого транзистора
Технология
MOSFET
Тип канала полевого транзистора
Канал
P-ch
Сопротивление канала в открытом состоянии
RDS-ON
<1.1 Ом<900 мОм