КП640
КП640
На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
Описание
Параметры
| Параметр | КП640 | |
|---|---|---|
Коэффициент шума | NF | |
Мощность | P | <125 Вт |
Крутизна характеристики полевого транзистора | S1-S2/I | >6700при Iс = 11 А |
Ток утечки затвора при объединенных стоке и истоке | IG | 100 нАпри Uсз = 20В |
Входная емкость полевого транзистора | C11 | 1.6 нФ |
Постоянное напряжение между затвором и истоком | UGS | <20 В |
Постоянное напряжение между стоком и истоком | UDSS | <200 В |
Постоянный ток стока | IDSS | <18 А |
Технология изготовления полевого транзистора | Технология | MOSFET |
Тип канала полевого транзистора | Канал | N-ch |
Сопротивление канала в открытом состоянии | RDS-ON | <180 мОм |
Импульсный ток стока | IDSS-I | <72 А |