Доход от майнинга

КП505Б

КП505, КП505А, КП505Б, КП505В, КП505Г

На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.

Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.

Описание

Параметры

ПараметрКП505АКП505БКП505ВКП505Г
Коэффициент шума
NF
Мощность
P
<1 Вт<1 Вт<1 Вт<700 мВт
Крутизна характеристики полевого транзистора
S1-S2/I
>500>500>500(не задано)
Ток утечки затвора при объединенных стоке и истоке
IG
Постоянное напряжение между затвором и истоком
UGS
<10 В
Постоянное напряжение между стоком и истоком
UDSS
<50 В<50 В<60 В<8 В
Постоянный ток стока
IDSS
<1.4 А
Технология изготовления полевого транзистора
Технология
MOSFET
Сопротивление канала в открытом состоянии
RDS-ON
(не задано)(не задано)(не задано)<1.2 Ом