Доход от майнинга

КП501

КП501, КП501А, КП501Б, КП501В

На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.

Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.

Описание

Параметры

ПараметрКП501АКП501БКП501В
Коэффициент шума
NF
Мощность
P
<500 мВт
Крутизна характеристики полевого транзистора
S1-S2/I
>100при Iс = 0.25 А
Ток утечки затвора при объединенных стоке и истоке
IG
20 нАпри Uсз = 20В20 нАпри Uсз = 20В
Постоянное напряжение между затвором и истоком
UGS
<20 В
Постоянное напряжение между стоком и истоком
UDSS
<240 В<200 В<200 В
Постоянный ток стока
IDSS
<180 мА
Технология изготовления полевого транзистора
Технология
MOSFET
Тип канала полевого транзистора
Канал
N-ch