На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
Параметр | КП501А | КП501Б | КП501В | |
---|---|---|---|---|
Коэффициент шума | NF | |||
Мощность | P | <500 мВт | ||
Крутизна характеристики полевого транзистора | S1-S2/I | >100при Iс = 0.25 А | ||
Ток утечки затвора при объединенных стоке и истоке | IG | 20 нАпри Uсз = 20В | 20 нАпри Uсз = 20В | |
Постоянное напряжение между затвором и истоком | UGS | <20 В | ||
Постоянное напряжение между стоком и истоком | UDSS | <240 В | <200 В | <200 В |
Постоянный ток стока | IDSS | <180 мА | ||
Технология изготовления полевого транзистора | Технология | MOSFET | ||
Тип канала полевого транзистора | Канал | N-ch |