2П308Б-9
2П308, 2П308А-9, 2П308Б-9, 2П308В-9, 2П308Г-9, 2П308Д-9, 2П308Е-9
На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
Описание
Параметры
| Параметр | 2П308А-9 | 2П308Б-9 | 2П308В-9 | 2П308Г-9 | 2П308Д-9 | 2П308Е-9 | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
Коэффициент шума | NF | ||||||
Мощность | P | <80 мВт | |||||
Крутизна характеристики полевого транзистора | S1-S2/I | 1 ~ 4при Uси = 10 В | 1 ~ 4при Uси = 10 В | 1.4 ~ 3при Uси = 10 В | (не задано) | (не задано) | >1при Uси = 10 В |
Начальный ток стока полевого транзистора | I01-I02 | 400 мА ~ 1 Апри U = 10 В | 800 мА ~ 1.6 Апри U = 10 В | 2 А ~ 5 Апри U = 10 В | (не задано) | (не задано) | 2.8 А ~ 6 Апри U = 10 В |
Ток утечки затвора при объединенных стоке и истоке | IG | 1 нАпри Uсз = 10В | |||||
Входная емкость полевого транзистора | C11 | 6 пФ | |||||
Проходная емкость | C12 | 2 пФ | |||||
Постоянное напряжение между затвором и стоком | UGD | <30 В | |||||
Постоянное напряжение между затвором и истоком | UGS | <30 В | |||||
Постоянное напряжение между стоком и истоком | UDSS | <25 В | |||||
Постоянный ток стока | IDSS | <20 мА | |||||
Технология изготовления полевого транзистора | Технология | JFET | |||||
Тип канала полевого транзистора | Канал | N-ch | |||||