Доход от майнинга

КП307Б

КП307, КП307А, КП307Б, КП307В, КП307Г, КП307Д, КП307Е, КП307Ж

На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.

Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.

Описание

Параметры

ПараметрКП307АКП307БКП307ВКП307ГКП307ДКП307ЕКП307Ж
Коэффициент шума
NF
6 дБпри f = 0.4 ГГц6 дБпри f = 0.4 ГГц
Мощность
P
<250 мВт
Крутизна характеристики полевого транзистора
S1-S2/I
4 ~ 9при Uси = 10 В5 ~ 10при Uси = 10 В5 ~ 10при Uси = 10 В6 ~ 12при Uси = 10 В6 ~ 12при Uси = 10 В3 ~ 8при Uси = 10 В>4при Uси = 10 В
Начальный ток стока полевого транзистора
I01-I02
3 А ~ 9 Апри U = 10 В5 А ~ 15 Апри U = 10 В5 А ~ 15 Апри U = 10 В8 А ~ 24 Апри U = 10 В8 А ~ 24 Апри U = 10 В1.5 А ~ 5 Апри U = 10 В3 А ~ 25 Апри U = 10 В
Ток утечки затвора при объединенных стоке и истоке
IG
1 нАпри Uсз = 10В1 нАпри Uсз = 10В1 нАпри Uсз = 10В1 нАпри Uсз = 10В1 нАпри Uсз = 10В1 нАпри Uсз = 10В100 пАпри Uсз = 10В
Входная емкость полевого транзистора
C11
5 пФ
Проходная емкость
C12
1.5 пФ
Постоянное напряжение между затвором и стоком
UGD
<27 В
Постоянное напряжение между затвором и истоком
UGS
<27 В
Постоянное напряжение между стоком и истоком
UDSS
<27 В
Постоянный ток стока
IDSS
<25 мА
Технология изготовления полевого транзистора
Технология
JFET
Тип канала полевого транзистора
Канал
N-ch