Доход от майнинга

КП306

КП306, КП306А, КП306Б, КП306В

На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.

Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.

Описание

Параметры

ПараметрКП306АКП306БКП306В
Коэффициент шума
NF
6 дБпри f = 0.2 ГГц
Мощность
P
<150 мВт
Крутизна характеристики полевого транзистора
S1-S2/I
3 ~ 8при Iс = 5 мА
Ток утечки затвора при объединенных стоке и истоке
IG
5 нАпри Uсз = 20В
Входная емкость полевого транзистора
C11
5 пФ
Проходная емкость
C12
0.07 пФ
Постоянное напряжение между затвором и стоком
UGD
<20 В
Постоянное напряжение между затвором и истоком
UGS
<20 В
Постоянное напряжение между стоком и истоком
UDSS
<20 В
Постоянный ток стока
IDSS
<20 мА
Технология изготовления полевого транзистора
Технология
MOSFET
Тип канала полевого транзистора
Канал
N-ch