2П305Б

КП305, 2П305А, 2П305Б, 2П305В, 2П305Г, КП305Д, КП305Е, КП305Ж, КП305И

На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.

Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.

Описание

Параметры

Параметр		2П305А	2П305Б	2П305В	2П305Г	КП305Д	КП305Е	КП305Ж	КП305И
Коэффициент шума	N_F	6 дБпри f = 0.25 ГГц		6 дБпри f = 0.25 ГГц	6 дБпри f = 0.25 ГГц	7 дБпри f = 0.25 ГГц	7 дБпри f = 0.25 ГГц	7 дБпри f = 0.25 ГГц	7 дБпри f = 0.25 ГГц
Мощность	P	<150 мВт
Крутизна характеристики полевого транзистора	S1-S2/I	6 ~ 10при Iс = 5 мА	4 ~ 8при Iс = 5 мА	6 ~ 10при Iс = 5 мА	6 ~ 10при Iс = 5 мА	5.2 ~ 10.5при Iс = 5 мА	4 ~ 8при Iс = 5 мА	5.2 ~ 10.5при Iс = 5 мА	4 ~ 10.5при Iс = 5 мА
Ток утечки затвора при объединенных стоке и истоке	I_G	1 нАпри Uсз = 30В	1 пАпри Uсз = 30В	1 нАпри Uсз = 30В	1 нАпри Uсз = 30В	1 нАпри Uсз = 15В	1 пАпри Uсз = 15В	1 нАпри Uсз = 15В	1 нАпри Uсз = 15В
Входная емкость полевого транзистора	C₁₁	5 пФ
Проходная емкость	C₁₂	0.8 пФ
Постоянное напряжение между затвором и стоком	U_GD	<30 В	<30 В	<30 В	<30 В	<15 В	<15 В	<15 В	<15 В
Постоянное напряжение между затвором и истоком	U_GS	<30 В	<30 В	<30 В	<30 В	<15 В	<15 В	<15 В	<15 В
Постоянное напряжение между стоком и истоком	U_DSS	<15 В
Постоянный ток стока	I_DSS	<15 мА
Технология изготовления полевого транзистора	Технология	MOSFET
Тип канала полевого транзистора	Канал	N-ch