КП303

КП303, КП303А, КП303Б, КП303В, КП303Г, КП303Д, КП303Е, КП303Ж, КП303И

На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.

Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.

Описание

Параметры

Параметр		КП303А	КП303Б	КП303В	КП303Г	КП303Д	КП303Е	КП303Ж	КП303И
Коэффициент шума	N_F					4 дБпри f = 0.1 ГГц	4 дБпри f = 0.1 ГГц
Мощность	P	<200 мВт
Крутизна характеристики полевого транзистора	S1-S2/I	1 ~ 4при Iс = 10 мА	1 ~ 4при Iс = 10 мА	2 ~ 5при Iс = 10 мА	3 ~ 7при Iс = 10 мА	>2.6при Iс = 10 мА	>4при Iс = 10 мА	1 ~ 4при Iс = 10 мА	2 ~ 6при Iс = 10 мА
Начальный ток стока полевого транзистора	I₀₁-I₀₂	500 мА ~ 2.5 Апри U = 10 В	500 мА ~ 2.5 Апри U = 10 В	1.5 А ~ 5 Апри U = 10 В	3.5 А ~ 12 Апри U = 10 В	3 А ~ 9 Апри U = 10 В	5 А ~ 20 Апри U = 10 В	300 мА ~ 3 Апри U = 10 В	1.5 А ~ 5 Апри U = 10 В
Ток утечки затвора при объединенных стоке и истоке	I_G	1 нАпри Uсз = 10В	1 нАпри Uсз = 10В	1 нАпри Uсз = 10В	100 пАпри Uсз = 10В	1 нАпри Uсз = 10В	1 нАпри Uсз = 10В	5 нАпри Uсз = 10В	5 нАпри Uсз = 10В
Входная емкость полевого транзистора	C₁₁	6 пФ
Проходная емкость	C₁₂	2 пФ
Постоянное напряжение между затвором и стоком	U_GD	<30 В
Постоянное напряжение между затвором и истоком	U_GS	<30 В
Постоянное напряжение между стоком и истоком	U_DSS	<25 В
Постоянный ток стока	I_DSS	<20 мА
Технология изготовления полевого транзистора	Технология	JFET
Тип канала полевого транзистора	Канал	N-ch