На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
Параметр | КП302А | КП302Б | КП302В | КП302Г | КП302АМ | КП302БМ | КП302ВМ | КП302ГМ | |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
Коэффициент шума | NF | 3 дБпри f = 1КГц | 3 дБпри f = 1КГц | ||||||
Мощность | P | <300 мВт | |||||||
Крутизна характеристики полевого транзистора | S1-S2/I | 5 ~ 15при Iс = 7 мА | 7 ~ 17при Iс = 7 мА | (не задано) | >5при Iс = 7 мА | 5 ~ 15при Iс = 7 мА | 7 ~ 17при Iс = 7 мА | (не задано) | >5при Iс = 7 мА |
Начальный ток стока полевого транзистора | I01-I02 | 3 А ~ 24 Апри U = 7 В | 18 А ~ 43 Апри U = 7 В | 33 А ~ 80 Апри U = 10 В | >15 Апри U = 7 В | >3 Апри U = 7 В | 18 А ~ 43 Апри U = 7 В | 33 А ~ 80 Апри U = 10 В | >15 Апри U = 7 В |
Ток утечки затвора при объединенных стоке и истоке | IG | 10 нАпри Uсз = 10В | |||||||
Входная емкость полевого транзистора | C11 | 20 пФ | |||||||
Проходная емкость | C12 | 8 пФ | |||||||
Постоянное напряжение между затвором и стоком | UGD | <20 В | <20 В | <20 В | <10 В | <20 В | <20 В | <20 В | <10 В |
Постоянное напряжение между затвором и истоком | UGS | <10 В | |||||||
Постоянное напряжение между стоком и истоком | UDSS | <20 В | |||||||
Постоянный ток стока | IDSS | <24 мА | <43 мА | (не задано) | (не задано) | <24 мА | <43 мА | (не задано) | (не задано) |
Технология изготовления полевого транзистора | Технология | JFET | |||||||
Тип канала полевого транзистора | Канал | N-ch |