Доход от майнинга

КП302

КП302, КП302А, КП302Б, КП302В, КП302Г, КП302АМ, КП302БМ, КП302ВМ, КП302ГМ

На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.

Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.

Описание

Параметры

ПараметрКП302АКП302БКП302ВКП302ГКП302АМКП302БМКП302ВМКП302ГМ
Коэффициент шума
NF
3 дБпри f = 1КГц3 дБпри f = 1КГц
Мощность
P
<300 мВт
Крутизна характеристики полевого транзистора
S1-S2/I
5 ~ 15при Iс = 7 мА 7 ~ 17при Iс = 7 мА (не задано)>5при Iс = 7 мА 5 ~ 15при Iс = 7 мА 7 ~ 17при Iс = 7 мА (не задано)>5при Iс = 7 мА
Начальный ток стока полевого транзистора
I01-I02
3 А ~ 24 Апри U = 7 В18 А ~ 43 Апри U = 7 В33 А ~ 80 Апри U = 10 В>15 Апри U = 7 В>3 Апри U = 7 В18 А ~ 43 Апри U = 7 В33 А ~ 80 Апри U = 10 В>15 Апри U = 7 В
Ток утечки затвора при объединенных стоке и истоке
IG
10 нАпри Uсз = 10В
Входная емкость полевого транзистора
C11
20 пФ
Проходная емкость
C12
8 пФ
Постоянное напряжение между затвором и стоком
UGD
<20 В<20 В<20 В<10 В<20 В<20 В<20 В<10 В
Постоянное напряжение между затвором и истоком
UGS
<10 В
Постоянное напряжение между стоком и истоком
UDSS
<20 В
Постоянный ток стока
IDSS
<24 мА<43 мА(не задано)(не задано)<24 мА<43 мА(не задано)(не задано)
Технология изготовления полевого транзистора
Технология
JFET
Тип канала полевого транзистора
Канал
N-ch