2П202Д-1
2П202, 2П202Д-1, 2П202Е-1
На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
Описание
Параметры
| Параметр | 2П202Д-1 | 2П202Е-1 | |
|---|---|---|---|
Коэффициент шума | NF | ||
Мощность | P | <60 мВт | |
Крутизна характеристики полевого транзистора | S1-S2/I | >0.65при Uси = 10 В | >1при Uси = 10 В |
Начальный ток стока полевого транзистора | I01-I02 | 350 мА ~ 1.5 Апри U = 10 В | 1.1 А ~ 3 Апри U = 10 В |
Ток утечки затвора при объединенных стоке и истоке | IG | 300 пАпри Uсз = 10В | |
Входная емкость полевого транзистора | C11 | 6 пФ | |
Проходная емкость | C12 | 2 пФ | |
Постоянное напряжение между затвором и стоком | UGD | <20 В | |
Постоянное напряжение между затвором и истоком | UGS | <500 мВ | |
Постоянное напряжение между стоком и истоком | UDSS | <15 В | |
Технология изготовления полевого транзистора | Технология | JFET | |
Тип канала полевого транзистора | Канал | N-ch | |