2ПС202Б2
2ПС202, 2ПС202А2, 2ПС202Б2, 2ПС202В2, 2ПС202Г2
На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
Описание
Параметры
| Параметр | 2ПС202А2 | 2ПС202Б2 | 2ПС202В2 | 2ПС202Г2 | |
|---|---|---|---|---|---|
Коэффициент шума | NF | ||||
Мощность | P | <60 мВт | |||
Крутизна характеристики полевого транзистора | S1-S2/I | >0.65при Uси = 10 В | >0.65при Uси = 10 В | >1при Uси = 10 В | >1при Uси = 10 В |
Начальный ток стока полевого транзистора | I01-I02 | 350 мА ~ 800 мАпри U = 10 В | 350 мА ~ 1.5 Апри U = 10 В | 1.1 А ~ 3 Апри U = 10 В | 1.1 А ~ 3 Апри U = 10 В |
Ток утечки затвора при объединенных стоке и истоке | IG | 300 пАпри Uсз = 10В | |||
Входная емкость полевого транзистора | C11 | 6 пФ | |||
Проходная емкость | C12 | 2 пФ | |||
Постоянное напряжение между затвором и стоком | UGD | <20 В | |||
Постоянное напряжение между затвором и истоком | UGS | <500 мВ | |||
Постоянное напряжение между стоком и истоком | UDSS | <15 В | |||
Технология изготовления полевого транзистора | Технология | JFET | |||
Тип канала полевого транзистора | Канал | N-ch | |||