Доход от майнинга

2ПС104Б

КПС104, 2ПС104А, 2ПС104Б, 2ПС104В, 2ПС104Г, 2ПС104Д, 2ПС104Е, КПС104Ж, КПС104И, КПС104К, КПС104Л

На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.

Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.

Описание

Параметры

Параметр2ПС104А2ПС104Б2ПС104В2ПС104Г2ПС104Д2ПС104ЕКПС104ЖКПС104ИКПС104ККПС104Л
Коэффициент шума
NF
Мощность
P
<45 мВт
Крутизна характеристики полевого транзистора
S1-S2/I
>0.35при Uси = 10 В>0.35при Uси = 10 В>0.65при Uси = 10 В>1при Uси = 10 В>1при Uси = 10 В>0.65при Uси = 10 В>0.85при Uси = 10 В>0.85при Uси = 10 В>1.05при Uси = 10 В>1.05при Uси = 10 В
Начальный ток стока полевого транзистора
I01-I02
100 мА ~ 800 мАпри U = 10 В100 мА ~ 800 мАпри U = 10 В350 мА ~ 1.5 Апри U = 10 В1.1 А ~ 3 Апри U = 10 В1.1 А ~ 3 Апри U = 10 В350 мА ~ 3 Апри U = 10 В600 мА ~ 1.5 Апри U = 10 В600 мА ~ 1.5 Апри U = 10 В1.1 А ~ 3 Апри U = 10 В1.1 А ~ 3 Апри U = 10 В
Ток утечки затвора при объединенных стоке и истоке
IG
300 пАпри Uсз = 10В1 нАпри Uсз = 10В1 нАпри Uсз = 10В1 нАпри Uсз = 10В1 нАпри Uсз = 10В300 пАпри Uсз = 10В100 пАпри Uсз = 10В1 нАпри Uсз = 10В100 пАпри Uсз = 10В1.1 нАпри Uсз = 10В
Входная емкость полевого транзистора
C11
4.5 пФ
Проходная емкость
C12
1.5 пФ
Постоянное напряжение между затвором и стоком
UGD
<30 В<30 В<30 В<30 В<30 В<30 В<20 В<20 В<20 В<20 В
Постоянное напряжение между затвором и истоком
UGS
<30 В<30 В<30 В<30 В<30 В<30 В(не задано)(не задано)(не задано)(не задано)
Постоянное напряжение между стоком и истоком
UDSS
<25 В<25 В<25 В<25 В<25 В<25 В<15 В<15 В<15 В<15 В
Технология изготовления полевого транзистора
Технология
JFET
Тип канала полевого транзистора
Канал
N-ch