2П103А9

КП103, 2П103А, 2П103Б, 2П103В, 2П103Г, 2П103Д, КП103Е, КП103Ж, КП103И, КП103К, КП103Л, КП103М, 2П103А9, 2П103Б9, 2П103В9, 2П103Г9, 2П103Д9

На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.

Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.

Описание

Параметры

Параметр		2П103А	2П103Б	2П103В	2П103Г	2П103Д	КП103Е	КП103Ж	КП103И	КП103К	КП103Л	КП103М	2П103А9	2П103Б9	2П103В9	2П103Г9	2П103Д9
Коэффициент шума	N_F	3 дБпри f = 1кГц
Мощность	P	<7 мВт	<12 мВт	<21 мВт	(не задано)	(не задано)	<7 мВт	<12 мВт	<21 мВт	<38 мВт	<66 мВт	<120 мВт	<80 мВт	<80 мВт	<80 мВт	<80 мВт	<80 мВт
Крутизна характеристики полевого транзистора	S1-S2/I	0.7 ~ 2.1при Uси = 10 В	0.8 ~ 2.6при Uси = 10 В	1.4 ~ 3.5при Uси = 10 В	1.8 ~ 3.8при Uси = 10 В	2 ~ 4.4при Uси = 10 В	0.4 ~ 2.4при Uси = 10 В	0.5 ~ 2.8при Uси = 10 В	0.8 ~ 2.6при Uси = 10 В	1 ~ 3при Uси = 10 В	1.2 ~ 4.2при Uси = 10 В	1.3 ~ 4.4при Uси = 10 В	0.4 ~ 1.8при Uси = 10 В	0.7 ~ 2.1при Uси = 10 В	0.8 ~ 2.6при Uси = 10 В	1.4 ~ 3.5при Uси = 10 В	1.8 ~ 3.8при Uси = 10 В
Начальный ток стока полевого транзистора	I₀₁-I₀₂	550 мА ~ 1.2 Апри U = 10 В	1 А ~ 2.1 Апри U = 10 В	1.7 А ~ 3.8 Апри U = 10 В	3 А ~ 6.6 Апри U = 10 В	5.4 А ~ 12 Апри U = 10 В	300 мА ~ 2.5 Апри U = 10 В	350 мА ~ 3.8 Апри U = 10 В	400 мА ~ 4 Апри U = 10 В	1 А ~ 5.5 Апри U = 10 В	2.7 А ~ 10.5 Апри U = 10 В	3 А ~ 12 Апри U = 10 В	>650 мАпри U = 10 В	>1.2 Апри U = 10 В	>2.1 Апри U = 10 В	>3.8 Апри U = 10 В	>6 Апри U = 10 В
Ток утечки затвора при объединенных стоке и истоке	I_G	20 нАпри Uсз = 10В	10 нАпри Uсз = 5В	10 нАпри Uсз = 5В	10 нАпри Uсз = 5В	10 нАпри Uсз = 5В	20 нАпри Uсз = 10В	20 нАпри Uсз = 10В	20 нАпри Uсз = 10В	20 нАпри Uсз = 10В	20 нАпри Uсз = 10В	20 нАпри Uсз = 5В	5 нА	5 нА	5 нА	5 нА	5 нА
Входная емкость полевого транзистора	C₁₁	17 пФ	17 пФ	17 пФ	17 пФ	17 пФ	20 пФ	20 пФ	20 пФ	20 пФ	20 пФ	20 пФ	17 пФ	17 пФ	17 пФ	17 пФ	17 пФ
Проходная емкость	C₁₂	8 пФ	8 пФ	8 пФ	8 пФ	8 пФ	8 пФ	8 пФ	8 пФ	8 пФ	8 пФ	8 пФ	(не задано)	(не задано)	(не задано)	(не задано)	(не задано)
Постоянное напряжение между затвором и стоком	U_GD	<15 В	<15 В	<15 В	<17 В	<17 В	<15 В	<15 В	<15 В	<15 В	<15 В	<15 В	(не задано)	(не задано)	(не задано)	(не задано)	(не задано)
Постоянное напряжение между затвором и истоком	U_GS	<10 В	<10 В	<10 В	<10 В	<10 В	(не задано)	(не задано)	(не задано)	(не задано)	(не задано)	(не задано)	<10 В	<10 В	<10 В	<10 В	<10 В
Постоянное напряжение между стоком и истоком	U_DSS	<10 В
Технология изготовления полевого транзистора	Технология	JFET
Тип канала полевого транзистора	Канал	P-ch