2П101Б

КП101, 2П101А, 2П101Б, 2П101В, КП101Г, КП101Д, КП101Е

На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.

Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.

Описание

Параметры

Параметр		2П101А	2П101Б	2П101В	КП101Г	КП101Д	КП101Е
Коэффициент шума	N_F	5 дБпри f = 1кГц	5 дБпри f = 1кГц	10 дБпри f = 1кГц	4 дБпри f = 1кГц	7 дБпри f = 1кГц	5 дБпри f = 1кГц
Мощность	P	<50 мВт
Крутизна характеристики полевого транзистора	S1-S2/I	>0.3при Iс = 5 мА	>0.3при Iс = 5 мА	>0.5при Iс = 5 мА	>0.15при Iс = 5 мА	>0.3при Iс = 5 мА	>0.3при Iс = 5 мА
Начальный ток стока полевого транзистора	I₀₁-I₀₂	300 мА ~ 1 Апри U = 5 В	700 мА ~ 2.2 Апри U = 5 В	500 мА ~ 5 Апри U = 5 В	150 мА ~ 2 Апри U = 5 В	300 мА ~ 4 Апри U = 5 В	500 мА ~ 5 Апри U = 5 В
Ток утечки затвора при объединенных стоке и истоке	I_G	10 нАпри Uсз = 5В	10 нАпри Uсз = 5В	10 нАпри Uсз = 5В	2 нАпри Uсз = 5В	2 нАпри Uсз = 5В	2 нАпри Uсз = 5В
Входная емкость полевого транзистора	C₁₁	15 пФ	15 пФ	15 пФ	12 пФ	12 пФ	12 пФ
Постоянное напряжение между затвором и стоком	U_GD	<10 В
Постоянное напряжение между затвором и истоком	U_GS	<10 В
Постоянное напряжение между стоком и истоком	U_DSS	<10 В
Технология изготовления полевого транзистора	Технология	JFET
Тип канала полевого транзистора	Канал	P-ch