На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | КТ117А | КТ117Б | КТ117В | КТ117Г | 2Т117А | 2Т117Б | 2Т117В | 2Т117Г | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
Cтатический коэффициент передачи тока биполярного транзистора | hFE | 0.5 ~ 0.7 | 0.65 ~ 0.9 | 0.5 ~ 0.7 | 0.65 ~ 0.9 | 0.5 ~ 0.7 | 0.65 ~ 0.85 | 0.5 ~ 0.7 | 0.65 ~ 0.85 |
Частота | f | <200 кГц | |||||||
Структура однопереходного транзистора | Структура | n-база | |||||||
Время включения | TON | =3 мкс; <5 мкс | |||||||
Ток включения эмиттера | IE-ON | <20 мкА | |||||||
Ток выключения эмиттера | IE-OFF | >1 мА | |||||||
Ток модуляции | IMOD | >10 мА | |||||||
Обратный ток эмиттера | IE-R | =1 мкА; <10 мкА | |||||||
Межбазовое сопротивление | RB1-B2 | 4 кОм ~ 9 кОм | 4 кОм ~ 9 кОм | 8 кОм ~ 12 кОм | 8 кОм ~ 12 кОм | 4 кОм ~ 7.5 кОм | 4 кОм ~ 7.5 кОм | 6 кОм ~ 9 кОм | 6 кОм ~ 9 кОм |
Мощность | P | <300 мВт | |||||||
Напряжение между базами | UB1-B2 | <30 В | |||||||