КТ940

КТ940, КТ940А, КТ940Б, КТ940В

Высокочастотный кремниевый транзистор большой мощности для работы в выходных каскадах видеоусилителей телевизионных приемников цветного и черно-белого изображения

Документы

Описание

Транзисторы КТ940A, КТ940Б, КТ940B кремниевые мезапланарные структуры N-P-N усилительные; транзисторы КТ940А1, КТ940Б1, КТ940В1 кремниевые планарные N-P-N. Предназначены для применения в выходных каскадах видеоусилителей телевизионных приемннков цветного и черно-белого изображения и других устройствах широкого применения.

Масса транзистора в пластмассовом корпусе не более 0,7 г, кристалла не более 0,01 г.

Чертеж корпуса и схема расположения выводов КТ940А-КТ940В в корпусе КТ-27​ Схема расположения выводов на кристалле КТ940А-5-КТ940В-5​ Схема расположения выводов (распиновка) КТ940А1-КТ940В1 в корпусе КТ-26​

Маркировка

Транзисторы КТ940A, КТ940Б, КТ940B выпускаются в пластмассовом корпусе с жесткими выводами. Тип прибора указывается на корпусе.

Транзисторы КТ940A-5, КТ940Б-5, КТ940B-5 выпускаются в виде неразделенных кристаллов на пластине с контактными площадками для гибридных интегральных микросхем. Тип прибора указывается в этикетке.

Транхисторы КТ940А1, КТ940Б1, КТ940В1 выпускаются в пластмассовом корпусе КТ-26 и маркируются цветной полосой на выпуклой стороне корпуса:

  • КТ940А1: одна цветная полоса
  • КТ940Б1: две цветные полосы
  • КТ940В1: три цветные полосы

Содержание драгоценных и цветных металлов

КТ940А-В

Золото: 4,2591 мг

КТ940А1-КТ940В1

Золото: 0,0615 мг

Серебро: 0,6884 мг

Палладий: 0,0013 мг

Параметры

ПараметрКТ940АКТ940БКТ940В
Импульсный ток коллектора транзистора
IC-i
<300 мА
Напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера
UCBO
<300 В<250 В<160 В
Напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при разомкнутой цепи базы и заданном токе эмиттера
UCEO
<300 В<250 В<160 В
Постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора
PC
<1.2 Вт
Cтатический коэффициент передачи тока биполярного транзистора
hFE
>25
Collector reverse current. Current through the collector junction at a given reverse collector-base voltage and emitter open
ICB-R
<50 нА
Предельная частота коэффициента передачи тока биполярного транзистора
fh21
<90 МГц
Коэффициент шума
NF
<1 дБ
Структура биполярного транзистора
Структура
NPN
Мощность на коллекторе транзистора с теплоотводом
PC-HS
<10 Вт