Транзисторы КТ940A, КТ940Б, КТ940B кремниевые мезапланарные структуры N-P-N усилительные; транзисторы КТ940А1, КТ940Б1, КТ940В1 кремниевые планарные N-P-N. Предназначены для применения в выходных каскадах видеоусилителей телевизионных приемннков цветного и черно-белого изображения и других устройствах широкого применения.

Масса транзистора в пластмассовом корпусе не более 0,7 г, кристалла не более 0,01 г.

Чертеж корпуса и схема расположения выводов КТ940А-КТ940В в корпусе КТ-27

Схема расположения выводов на кристалле КТ940А-5-КТ940В-5

Схема расположения выводов (распиновка) КТ940А1-КТ940В1 в корпусе КТ-26

Маркировка

Транзисторы КТ940A, КТ940Б, КТ940B выпускаются в пластмассовом корпусе с жесткими выводами. Тип прибора указывается на корпусе.

Транзисторы КТ940A-5, КТ940Б-5, КТ940B-5 выпускаются в виде неразделенных кристаллов на пластине с контактными площадками для гибридных интегральных микросхем. Тип прибора указывается в этикетке.

Транхисторы КТ940А1, КТ940Б1, КТ940В1 выпускаются в пластмассовом корпусе КТ-26 и маркируются цветной полосой на выпуклой стороне корпуса:

КТ940А1: одна цветная полоса
КТ940Б1: две цветные полосы
КТ940В1: три цветные полосы

Содержание драгоценных и цветных металлов

КТ940А-В

Золото: 4,2591 мг

КТ940А1-КТ940В1

Золото: 0,0615 мг

Серебро: 0,6884 мг

Палладий: 0,0013 мг

Параметры

Параметр		КТ940А	КТ940Б	КТ940В
Импульсный ток коллектора транзистора	I_C-i	<300 мА
Напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера	U_CBO	<300 В	<250 В	<160 В
Напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при разомкнутой цепи базы и заданном токе эмиттера	U_CEO	<300 В	<250 В	<160 В
Постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора	P_C	<1.2 Вт
Cтатический коэффициент передачи тока биполярного транзистора	hFE	>25
Collector reverse current. Current through the collector junction at a given reverse collector-base voltage and emitter open	I_CB-R	<50 нА
Предельная частота коэффициента передачи тока биполярного транзистора	f_h21	<90 МГц
Коэффициент шума	N_F	<1 дБ
Структура биполярного транзистора	Структура	NPN
Мощность на коллекторе транзистора с теплоотводом	P_C-HS	<10 Вт