КТ897Б

КТ897, КТ897А, КТ897Б

Кремниевый составной транзистор с встроенным стабилитроном, аналог BU931Z для работы в импульсных источниках питания с индуктивной нагрузкой

На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.

Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.

Описание

Параметры

ПараметрКТ897АКТ897Б
Импульсный ток коллектора транзистора
IC-i
<30 А
Напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера
UCBO
<350 В<200 В
Напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при разомкнутой цепи базы и заданном токе эмиттера
UCEO
<350 В<200 В
Cтатический коэффициент передачи тока биполярного транзистора
hFE
>400
Collector reverse current. Current through the collector junction at a given reverse collector-base voltage and emitter open
ICB-R
<250 мкА
Предельная частота коэффициента передачи тока биполярного транзистора
fh21
<10 МГц
Коэффициент шума
NF
<1.6 дБ
Структура биполярного транзистора
Структура
NPN
Мощность на коллекторе транзистора с теплоотводом
PC-HS
<125 Вт