На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | КТ872А | КТ872Б | КТ872В | |
|---|---|---|---|---|
Импульсный ток коллектора транзистора | IC-i | <15 А | ||
Напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера | UCBO | <700 В | <700 В | <600 В |
Напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при разомкнутой цепи базы и заданном токе эмиттера | UCEO | <700 В | <700 В | <600 В |
Cтатический коэффициент передачи тока биполярного транзистора | hFE | (не задано) | (не задано) | >6 |
Collector reverse current. Current through the collector junction at a given reverse collector-base voltage and emitter open | ICB-R | <1 мА | <1 мА | <600 мкА |
Предельная частота коэффициента передачи тока биполярного транзистора | fh21 | <7 МГц | ||
Коэффициент шума | NF | <1 дБ | ||
Структура биполярного транзистора | Структура | NPN | ||
Импульсное напряжение коллектор-база | UCBO-i | <1.5 кВ | <1.5 кВ | <1.2 кВ |
Мощность на коллекторе транзистора с теплоотводом | PC-HS | <100 Вт | ||
Импульсное напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при разомкнутой цепи базы | UCEO-i | <1.5 кВ | <1.5 кВ | <1.2 кВ |