КТ853А

КТ853, КТ853А, КТ853Б, КТ853В, КТ853Г

Кремниевый составной транзистор большой мощности для усилительных и переключающих устройств

На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.

Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.

Описание

Параметры

ПараметрКТ853АКТ853БКТ853ВКТ853Г
Импульсный ток коллектора транзистора
IC-i
<12 А
Напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера
UCBO
<100 В<80 В<80 В<45 В
Напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при разомкнутой цепи базы и заданном токе эмиттера
UCEO
<100 В<80 В<60 В<45 В
Cтатический коэффициент передачи тока биполярного транзистора
hFE
>750
Collector reverse current. Current through the collector junction at a given reverse collector-base voltage and emitter open
ICB-R
<500 мкА
Предельная частота коэффициента передачи тока биполярного транзистора
fh21
<7 МГц
Коэффициент шума
NF
<2 дБ
Структура биполярного транзистора
Структура
PNP
Мощность на коллекторе транзистора с теплоотводом
PC-HS
<60 Вт