На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | КТ851А | КТ851Б | КТ851В | |
|---|---|---|---|---|
Импульсный ток коллектора транзистора | IC-i | <3 А | ||
Напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера | UCBO | <250 В | <300 В | <130 В |
Напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при разомкнутой цепи базы и заданном токе эмиттера | UCEO | <200 В | <250 В | <150 В |
Cтатический коэффициент передачи тока биполярного транзистора | hFE | 40 ~ 200 | >20 | >20 |
Collector reverse current. Current through the collector junction at a given reverse collector-base voltage and emitter open | ICB-R | <100 мкА | <500 мкА | <500 мкА |
Предельная частота коэффициента передачи тока биполярного транзистора | fh21 | <20 МГц | ||
Коэффициент шума | NF | <1 дБ | ||
Структура биполярного транзистора | Структура | PNP | ||
Мощность на коллекторе транзистора с теплоотводом | PC-HS | <25 Вт | ||