Доход от майнинга

КТ840

КТ840, 1Т840А, 1Т840Б

Кремниевый транзистор большой мощности для телевизоров "Электроника Ц-402" и для ключевых источников питания

Документы

Описание

Кремниевые планарные п-р-п транзисторы КT840A, КТ840Б в металлостеклянном корпусе, предназначенные для работы в ключевых источниках питания. Климатическое исполнение УХЛ, категории размещения 2, 2.1.

Чертеж корпуса и схема расположения выводов КТ840​

Содержание драгоценных и цветных металлов

Золото: 0,3569 мг

Медь: 2,4 г

Параметры

Параметр1Т840А1Т840Б
Импульсный ток коллектора транзистора
IC-i
<8 А
Напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера
UCBO
<400 В<350 В
Напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при разомкнутой цепи базы и заданном токе эмиттера
UCEO
<400 В<350 В
Cтатический коэффициент передачи тока биполярного транзистора
hFE
10 ~ 60>10
Collector reverse current. Current through the collector junction at a given reverse collector-base voltage and emitter open
ICB-R
<3 мА
Предельная частота коэффициента передачи тока биполярного транзистора
fh21
<8 МГц
Коэффициент шума
NF
<3 дБ
Структура биполярного транзистора
Структура
NPN
Мощность на коллекторе транзистора с теплоотводом
PC-HS
<60 Вт