КТ837Б

КТ837, КТ837А, КТ837Б, КТ837В, КТ837Г, КТ837Д, КТ837Е, КТ837Ж, КТ837И, КТ837К, КТ837Л, КТ837М, КТ837Н, КТ837П, КТ837Р, КТ837С, КТ837Т, КТ837У, КТ837Ф

Кремниевый транзистор большой мощности для применения в усилителях и переключающих устройствах

На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.

Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.

Описание

Параметры

ПараметрКТ837АКТ837БКТ837ВКТ837ГКТ837ДКТ837ЕКТ837ЖКТ837ИКТ837ККТ837ЛКТ837МКТ837НКТ837ПКТ837РКТ837СКТ837ТКТ837УКТ837Ф
Напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера
UCBO
<80 В<80 В<80 В<60 В<60 В<60 В<45 В<45 В<45 В<80 В<80 В<80 В<80 В<60 В<60 В<45 В<45 В<45 В
Напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при разомкнутой цепи базы и заданном токе эмиттера
UCEO
<80 В<60 В<60 В<45 В<45 В<45 В<30 В<30 В<30 В<60 В<60 В<60 В<45 В<45 В<45 В<30 В<30 В<30 В
Cтатический коэффициент передачи тока биполярного транзистора
hFE
10 ~ 4020 ~ 8050 ~ 15010 ~ 4020 ~ 8050 ~ 15010 ~ 4020 ~ 8050 ~ 15010 ~ 4020 ~ 8050 ~ 15010 ~ 4020 ~ 8050 ~ 15010 ~ 4020 ~ 8050 ~ 150
Collector reverse current. Current through the collector junction at a given reverse collector-base voltage and emitter open
ICB-R
<150 мкА
Предельная частота коэффициента передачи тока биполярного транзистора
fh21
<1 МГц
Коэффициент шума
NF
<2.5 дБ<2.5 дБ<2.5 дБ<900 мдБ<900 мдБ<900 мдБ<500 мдБ<500 мдБ<500 мдБ<2.5 дБ<2.5 дБ<2.5 дБ<900 мдБ<900 мдБ<900 мдБ<500 мдБ<500 мдБ<500 мдБ
Структура биполярного транзистора
Структура
PNP
Мощность на коллекторе транзистора с теплоотводом
PC-HS
<30 Вт