На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | КТ835А | КТ835Б | |
|---|---|---|---|
Напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера | UCBO | <30 В | <45 В |
Напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при разомкнутой цепи базы и заданном токе эмиттера | UCEO | <30 В | <45 В |
Cтатический коэффициент передачи тока биполярного транзистора | hFE | >25 | 10 ~ 100 |
Collector reverse current. Current through the collector junction at a given reverse collector-base voltage and emitter open | ICB-R | <100 мкА | <150 мкА |
Предельная частота коэффициента передачи тока биполярного транзистора | fh21 | <1 МГц | |
Коэффициент шума | NF | <350 мдБ | |
Структура биполярного транзистора | Структура | PNP | |
Мощность на коллекторе транзистора с теплоотводом | PC-HS | <25 Вт | |