На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | КТ829А | КТ829Б | КТ829В | КТ829Г | |
|---|---|---|---|---|---|
Импульсный ток коллектора транзистора | IC-i | <12 А | |||
Напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера | UCBO | <100 В | <80 В | <80 В | <45 В |
Напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при разомкнутой цепи базы и заданном токе эмиттера | UCEO | <100 В | <80 В | <60 В | <45 В |
Cтатический коэффициент передачи тока биполярного транзистора | hFE | >750 | |||
Collector reverse current. Current through the collector junction at a given reverse collector-base voltage and emitter open | ICB-R | <200 мкА | <50.2 мА | <200 мкА | <200 мкА |
Предельная частота коэффициента передачи тока биполярного транзистора | fh21 | <4 МГц | |||
Коэффициент шума | NF | <2 дБ | |||
Структура биполярного транзистора | Структура | NPN | |||
Мощность на коллекторе транзистора с теплоотводом | PC-HS | <60 Вт | |||