КТ828А

КТ828, КТ828А, КТ828Б

Кремниевый транзистор большой мощности для работы в схемах источников питания, высоковольтных ключевых схемах

На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.

Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.

Описание

Параметры

ПараметрКТ828АКТ828Б
Импульсный ток коллектора транзистора
IC-i
<7.5 А
Напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера
UCBO
<800 В<600 В
Напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при разомкнутой цепи базы и заданном токе эмиттера
UCEO
<800 В<600 В
Cтатический коэффициент передачи тока биполярного транзистора
hFE
2 ~ 25
Collector reverse current. Current through the collector junction at a given reverse collector-base voltage and emitter open
ICB-R
<5 мА
Предельная частота коэффициента передачи тока биполярного транзистора
fh21
<4 МГц
Коэффициент шума
NF
<3 дБ
Структура биполярного транзистора
Структура
NPN
Мощность на коллекторе транзистора с теплоотводом
PC-HS
<50 Вт