2Т825А

КТ825, 2Т825А, 2Т825Б, 2Т825В, КТ825Г, КТ825Д, КТ825Е

Кремниевый составной транзистор большой мощности для работы в усилителях низкой частоты, импульсных усилителях мощности, стабилизаторах тока и напряжения, повторителях, переключателях, в электронных системах управления, в схемах автоматики и защиты

Документы

Описание

Содержание драгоценных металлов

  • Золото: 9,9325 мг
  • Серебро: 4,57874 мг

Параметры

Параметр2Т825А2Т825Б2Т825ВКТ825ГКТ825ДКТ825Е
Импульсный ток коллектора транзистора
IC-i
<40 А<40 А<40 А<30 А<30 А<30 А
Напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера
UCBO
<100 В<80 В<60 В<90 В<60 В<30 В
Напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при разомкнутой цепи базы и заданном токе эмиттера
UCEO
<100 В<80 В<60 В<90 В<60 В<30 В
Cтатический коэффициент передачи тока биполярного транзистора
hFE
500 ~ 18000750 ~ 18000750 ~ 18000750 ~ 18000750 ~ 18000750 ~ 18000
Collector reverse current. Current through the collector junction at a given reverse collector-base voltage and emitter open
ICB-R
<1 мА
Предельная частота коэффициента передачи тока биполярного транзистора
fh21
<4 МГц
Коэффициент шума
NF
<2 дБ
Структура биполярного транзистора
Структура
PNP
Мощность на коллекторе транзистора с теплоотводом
PC-HS
<160 Вт<160 Вт<160 Вт<125 Вт<125 Вт<125 Вт