КТ819

КТ819, КТ819А, КТ819Б, КТ819В, КТ819Г, КТ819АМ, КТ819БМ, КТ819ВМ, КТ819ГМ, 2Т819А, 2Т819Б, 2Т819В

Кремниевый транзистор большой мощности для работы в усилителях низкой частоты, операционных и дифференциальных усилителях, преобразователях и импульсных схемах

Документы

Описание

Чертеж корпуса и схема расположения выводов КТ819АМ-ГМ​

Параметры

ПараметрКТ819АКТ819БКТ819ВКТ819ГКТ819АМКТ819БМКТ819ВМКТ819ГМ2Т819А2Т819Б2Т819В
Импульсный ток коллектора транзистора
IC-i
<15 А<15 А<15 А<15 А<20 А<20 А<20 А<20 А<20 А<20 А<20 А
Напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера
UCBO
<40 В<50 В<70 В<100 В<40 В<50 В<70 В<100 В<100 В<80 В<60 В
Напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при разомкнутой цепи базы и заданном токе эмиттера
UCEO
<40 В<50 В<70 В<100 В<40 В<50 В<70 В<100 В<100 В<80 В<60 В
Постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора
PC
<1.5 Вт<1.5 Вт<1.5 Вт<1.5 Вт<2 Вт<2 Вт<2 Вт<2 Вт<3 Вт<3 Вт<3 Вт
Cтатический коэффициент передачи тока биполярного транзистора
hFE
15 ~ 22520 ~ 22515 ~ 22512 ~ 22515 ~ 22520 ~ 22515 ~ 22512 ~ 22520 ~ 22520 ~ 22520 ~ 225
Collector reverse current. Current through the collector junction at a given reverse collector-base voltage and emitter open
ICB-R
<1 мА
Предельная частота коэффициента передачи тока биполярного транзистора
fh21
<3 МГц
Коэффициент шума
NF
<2 дБ<2 дБ<2 дБ<2 дБ<2 дБ<2 дБ<2 дБ<2 дБ<1 дБ<1 дБ<1 дБ
Структура биполярного транзистора
Структура
NPNNPNNPNNPNNPNNPNNPNNPNPNPPNPPNP
Мощность на коллекторе транзистора с теплоотводом
PC-HS
<60 Вт<60 Вт<60 Вт<60 Вт<100 Вт<100 Вт<100 Вт<100 Вт<100 Вт<100 Вт<100 Вт