КТ818

КТ818, КТ818А, КТ818Б, КТ818В, КТ818Г, КТ818АМ, КТ818БМ, КТ818ВМ, КТ818ГМ, 2Т818Б, 2Т818В

Кремниевый транзистор большой мощности для работы в усилителях низкой частоты, операционных и дифференциальных усилителях, преобразователях и импульсных схемах

Описание

Фотография транзистора КТ818ГМ​ КТ818 со снятой крышкой​ Кристалл транзистора КТ818​

Параметры

ПараметрКТ818АКТ818БКТ818ВКТ818ГКТ818АМКТ818БМКТ818ВМКТ818ГМ2Т818Б2Т818В
Импульсный ток коллектора транзистора
IC-i
<15 А<15 А<15 А<15 А<20 А<20 А<20 А<20 А<20 А<20 А
Напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера
UCBO
<40 В<50 В<70 В<90 В<40 В<50 В<70 В<90 В<80 В<60 В
Напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при разомкнутой цепи базы и заданном токе эмиттера
UCEO
<40 В<50 В<70 В<90 В<40 В<50 В<70 В<90 В<80 В<60 В
Постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора
PC
<1.5 Вт<1.5 Вт<1.5 Вт<1.5 Вт<2 Вт<2 Вт<2 Вт<2 Вт<3 Вт<3 Вт
Cтатический коэффициент передачи тока биполярного транзистора
hFE
15 ~ 22520 ~ 22515 ~ 22512 ~ 22515 ~ 22520 ~ 22515 ~ 22512 ~ 22520 ~ 22520 ~ 225
Collector reverse current. Current through the collector junction at a given reverse collector-base voltage and emitter open
ICB-R
<1 мА
Предельная частота коэффициента передачи тока биполярного транзистора
fh21
<3 МГц
Коэффициент шума
NF
<2 дБ<2 дБ<2 дБ<2 дБ<2 дБ<2 дБ<2 дБ<2 дБ<1 дБ<1 дБ
Структура биполярного транзистора
Структура
PNP
Мощность на коллекторе транзистора с теплоотводом
PC-HS
<60 Вт<60 Вт<80 Вт<60 Вт<100 Вт<100 Вт<100 Вт<100 Вт<100 Вт<100 Вт