КТ816А

КТ816, КТ816А, КТ816А2, КТ816Б, КТ816В, КТ816Г

Кремниевый транзистор большой мощности для работы в усилителях низкой частоты, операционных и дифференциальных усилителях, преобразователях и импульсных схемах

На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.

Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.

Описание

Параметры

ПараметрКТ816АКТ816А2КТ816БКТ816ВКТ816Г
Импульсный ток коллектора транзистора
IC-i
<6 А
Напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера
UCBO
<40 В<40 В<45 В<80 В<100 В
Напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при разомкнутой цепи базы и заданном токе эмиттера
UCEO
<40 В<40 В<45 В<60 В<90 В
Постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора
PC
<1 Вт
Cтатический коэффициент передачи тока биполярного транзистора
hFE
25 ~ 275>20025 ~ 27525 ~ 27525 ~ 275
Collector reverse current. Current through the collector junction at a given reverse collector-base voltage and emitter open
ICB-R
<100 мкА
Предельная частота коэффициента передачи тока биполярного транзистора
fh21
<3 МГц
Коэффициент шума
NF
<1 дБ<600 мдБ<1 дБ<1 дБ<1 дБ
Структура биполярного транзистора
Структура
PNP
Мощность на коллекторе транзистора с теплоотводом
PC-HS
<25 Вт